Abstract
Исследован и обнаружен процесс роста скоплений акцепторных центров n-GaAs при гамма-облучении. Показано, что концентрация водородоподобных доноров при облучении не изменяется. Найдено распределение плотности донорных состояний водороподобных примесей по энергиям. Установлено, что скорость введения акцерторных центров соответствует пороговой энергии образования пары Френкеля 20эВ.
Users
Please
log in to take part in the discussion (add own reviews or comments).