Article,

СКОПЛЕНИЯ АКЦЕПТОРНЫХ ЦЕНТРОВ В n-GaAs И ВЛИЯНИЕ ГАММА-ОБЛУЧЕНИЯ НА ИХ РАЗМЕРЫ

.
CENTRAL ASIAN JOURNAL OF THEORETICAL & APPLIED SCIENCES, (2022)

Abstract

Исследован и обнаружен процесс роста скоплений акцепторных центров n-GaAs при гамма-облучении. Показано, что концентрация водородоподобных доноров при облучении не изменяется. Найдено распределение плотности донорных состояний водороподобных примесей по энергиям. Установлено, что скорость введения акцерторных центров соответствует пороговой энергии образования пары Френкеля 20эВ.

Tags

Users

  • @centralasian_20

Comments and Reviews