,

Characterizing and Reducing the Layout Dependent Effect and Gate Resistance to Enable Multiple-Vt Scaling for a 3nm CMOS Technology.

, , , , , , , , , , , , , , , и .
VLSI Technology and Circuits, стр. 1-2. IEEE, (2023)

Метаданные

тэги

Пользователи данного ресурса

  • @dblp

Комментарии и рецензии