Пожалуйста, войдите в систему, чтобы принять участие в дискуссии (добавить собственные рецензию, или комментарий)
Цитировать эту публикацию
%0 Journal Article
%1 Dutron1995
%A Dutron, A.-M.
%A Blanquet, E.
%A Ghetta, V.
%A Madar, K.
%A Bernard, C.
%D 1995
%J JOURNAL DE PHYSIQUE IV
%K imported
%T Morphology and Thermal Stability of Me-Si-N (Me=Re, W, Ta) for
Microelectronics
%V 5
@article{Dutron1995,
added-at = {2009-11-05T12:01:24.000+0100},
author = {Dutron, A.-M. and Blanquet, E. and Ghetta, V. and Madar, K. and Bernard, C.},
biburl = {https://www.bibsonomy.org/bibtex/253643036925b4482e852009a9ef0b55c/ghuot},
file = {Dutron1995.pdf:Re-Si\\Dutron1995.pdf:PDF},
interhash = {22e9aa5f0ef1ccffeb8259c30c66919b},
intrahash = {53643036925b4482e852009a9ef0b55c},
journal = {JOURNAL DE PHYSIQUE IV},
keywords = {imported},
owner = {ghuot},
timestamp = {2009-11-05T12:01:27.000+0100},
title = {Morphology and Thermal Stability of Me-Si-N (Me=Re, W, Ta) for
Microelectronics},
volume = 5,
year = 1995
}