СКОПЛЕНИЯ АКЦЕПТОРНЫХ ЦЕНТРОВ В n-GaAs И ВЛИЯНИЕ ГАММА-ОБЛУЧЕНИЯ НА ИХ РАЗМЕРЫ
CENTRAL ASIAN JOURNAL OF THEORETICAL & APPLIED SCIENCES, (2022)Abstract
Исследован и обнаружен процесс роста скоплений акцепторных центров n-GaAs при гамма-облучении. Показано, что концентрация водородоподобных доноров при облучении не изменяется. Найдено распределение плотности донорных состояний водороподобных примесей по энергиям. Установлено, что скорость введения акцерторных центров соответствует пороговой энергии образования пары Френкеля 20эВ.