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Characterization and modeling of DCR and DCR drift variability in SPADs., , , , und . IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2023)Frequency dependant gate oxide TDDB model., , , , , , und . IRPS, Seite 25-1. IEEE, (2022)Guidelines for intermediate back end of line (BEOL) for 3D sequential integration., , , , , , , , , und 18 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 252-255. IEEE, (2017)Integrated Test Structures for Reliability Investigation under Dynamic Stimuli., , , , , und . IOLTS, Seite 1-5. IEEE, (2018)Extended TDDB power-law validation for high-voltage applications such as OTP memories in High-k CMOS 28nm FDSOI technology., , , , und . IRPS, Seite 3. IEEE, (2015)28nm UTBB FDSOI product reliability/performance trade-off optimization through body bias operation., , , , und . IRPS, Seite 6. IEEE, (2015)Potentiality of healing techniques in hot-carrier damaged 28 nm FDSOI CMOS nodes., , , , , und . Microelectron. Reliab., (2016)Characterization of Low Drop-Out during ageing and design for yield., , , , , , und . Microelectron. Reliab., (2017)Integrated Test Circuit for Off-State Dynamic Drain Stress Evaluation., , , , , , und . IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2023)Modeling self-heating effects in advanced CMOS nodes., , , , , und . IRPS, Seite 3-1. IEEE, (2018)