( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Perniola, Luca"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Identification of the generation/rupture mechanism of filamentary conductive paths in ReRAM devices using oxide failure analysis.

, , , , und . Microelectron. Reliab., (2017)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Luca Tranchini

Luca Rizzini

Luca Tuninetti

Alfonz Luca

Marcello Lucà

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Experimental Investigation of 4-kb RRAM Arrays Programming Conditions Suitable for TCAM., , , , , , , , und . IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 26 (12): 2599-2607 (2018)Optimal programming with voltage-controlled temperature profile to reduce SET state distribution dispersion in PCM., , , , , und . ICECS, Seite 482-485. IEEE, (2014)High temperature reliability of μtrench Phase-Change Memory devices., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). Microelectron. Reliab., 52 (9-10): 1928-1931 (2012)Correlated Effects on Forming and Retention of Al Doping in HfO2-Based RRAM., , , , , und . IEEE Des. Test, 34 (3): 23-30 (2017)Optimized temperature profile based pulse generator for innovative Phase Change Memory., , , , und . NEWCAS, Seite 1-4. IEEE, (2015)Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase-change memory devices featuring reduced RESET current and power consumption., , , , , , , , , und 9 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 286-289. IEEE, (2012)Performance Improvement on HfO2-Based 1T Ferroelectric NVM by Electrical Preconditioning., , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-4. IEEE, (2019)Emerging memory technologies for reconfigurable routing in FPGA architecture., , , , und . ICECS, Seite 62-65. IEEE, (2010)Identification of the generation/rupture mechanism of filamentary conductive paths in ReRAM devices using oxide failure analysis., , , , und . Microelectron. Reliab., (2017)Phase-change-memory-based storage elements for configurable logic., , , , , , und . FPT, Seite 17-20. IEEE, (2010)