,

STI and eSiGe source/drain epitaxy induced stress modeling in 28 nm technology with replacement gate (RMG) process.

, , , , , , , , и .
ESSDERC, стр. 159-162. IEEE, (2013)

Метаданные

тэги

Пользователи данного ресурса

  • @dblp

Комментарии и рецензии