Аннотация
We introduce an approach for increasing density of voltage restore elements. The approach based on manufacturing of a heterostructure, which consist of a substrate and an epitaxial layer with special configuration. Several required sections of the layer should be doped by diffusion or ion implantation. After that dopants and/or radiation defects should be annealed.
Пользователи данного ресурса
Пожалуйста,
войдите в систему, чтобы принять участие в дискуссии (добавить собственные рецензию, или комментарий)