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Statistical NBTI-effect prediction for ULSI circuits., , , und . ISCAS, Seite 2494-2497. IEEE, (2010)The scalability of 8T-SRAM cells under the influence of intrinsic parameter fluctuations., , und . ESSCIRC, Seite 93-96. IEEE, (2007)Accurate simulations of the interplay between process and statistical variability for nanoscale FinFET-based SRAM cell stability., , , , und . ESSDERC, Seite 349-352. IEEE, (2014)Variability resilient low-power 7T-SRAM design for nano-scaled technologies., , und . ISQED, Seite 9-14. IEEE, (2010)Probabilistic computing with future deep sub-micrometer devices: a modelling approach., , , , und . ISCAS (3), Seite 2510-2513. IEEE, (2005)A framework to study time-dependent variability in circuits at sub-35nm technology nodes., , , und . ISCAS, Seite 1568-1571. IEEE, (2012)The impact of random doping effects on CMOS SRAM cell., , und . ESSCIRC, Seite 219-222. IEEE, (2004)Impact of Random Dopant Induced Statistical Variability on Inverter Switching Trajectories and Timing Variability., , , und . ISCAS, Seite 577-580. IEEE, (2009)Statistical aspects of NBTI/PBTI and impact on SRAM yield., , und . DATE, Seite 1480-1485. IEEE, (2011)Statistical simulations of 6T-SRAM cell ageing using a reliability aware simulation flow., , , , , , , , , und 5 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 238-241. IEEE, (2015)