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5.5 A 2.1e- Temporal Noise and -105dB Parasitic Light Sensitivity Backside-Illuminated 2.3µm-Pixel Voltage-Domain Global Shutter CMOS Image Sensor Using High-Capacity DRAM Capacitor Technology., , , , , , , , , und 18 andere Autor(en). ISSCC, Seite 102-104. IEEE, (2020)A 4-tap 3.5 μm 1.2 Mpixel Indirect Time-of-Flight CMOS Image Sensor with Peak Current Mitigation and Multi-User Interference Cancellation., , , , , , , , , und 12 andere Autor(en). ISSCC, Seite 106-108. IEEE, (2021)A 1.1e- temporal noise 1/3.2-inch 8Mpixel CMOS image sensor using pseudo-multiple sampling., , , , , , , , , und 4 andere Autor(en). ISSCC, Seite 396-397. IEEE, (2010)A 1/1.33-inch 108Mpixel CMOS Image Sensor with 0.8um unit NONACELL pixels., , , , , , , und . ISCAS, Seite 288-291. IEEE, (2022)A 0.7 μm-Pitch 108 Mpixel Nonacell-Based CMOS Image Sensor with Decision-Feedback Technique., , , , , , , , , und . ISCAS, Seite 283-287. IEEE, (2022)A 1/3-Inch 1.12μm-Pitch 13Mpixel CMOS Image Sensor with a Low-Power Readout Architecture., , , , , , , und . ISCAS, Seite 1-4. IEEE, (2020)A Low Power Digitizer with Piecewise- Linear Counting Technique for High Dynamic Range Nonacell-Based 3-D-Stacked CMOS Image Sensor., , , , und . ISCAS, Seite 1-5. IEEE, (2023)A 1/1.12-inch $1.4\mum$-Pitch 50Mpixel 65/28nm Stacked CMOS Image Sensor using Mulitple Sampling., , , und . ISCAS, Seite 1-4. IEEE, (2023)