( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Chan, B. T."

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Molybdenum Nitride as a Scalable and Thermally Stable pWFM for CFET.

, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , und . VLSI Technology and Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2023)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Felix B T Fingerhuth

B A T Petersson

Sven M B T Wolter

Wilhelm Chan

Mu ammad 'Umar Hat t b

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

TGFβ-activation by dendritic cells drives Th17 induction and intestinal contractility and augments the expulsion of the parasite Trichinella spiralis in mice, , , , , , , , , und 3 andere Autor(en). PLOS Pathog, 15 (4): 1-25 (April 2019)Scaled FinFETs Connected by Using Both Wafer Sides for Routing via Buried Power Rails., , , , , , , , , und 34 andere Autor(en). VLSI Technology and Circuits, Seite 284-285. IEEE, (2022)High Performance Thermally Resistant FinFETs DRAM Peripheral CMOS FinFETs with VTH Tunability for Future Memories., , , , , , , , , und 12 andere Autor(en). VLSI Technology and Circuits, Seite 306-307. IEEE, (2022)Nanosheet-based Complementary Field-Effect Transistors (CFETs) at 48nm Gate Pitch, and Middle Dielectric Isolation to enable CFET Inner Spacer Formation and Multi-Vt Patterning., , , , , , , , , und 30 andere Autor(en). VLSI Technology and Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2023)Molybdenum Nitride as a Scalable and Thermally Stable pWFM for CFET., , , , , , , , , und 11 andere Autor(en). VLSI Technology and Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2023)Solid state qubits: how learning from CMOS fabrication can speed-up progress in Quantum Computing., , , , , , , , , und 19 andere Autor(en). VLSI Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2021)PPA and Scaling Potential of Backside Power Options in N2 and A14 Nanosheet Technology., , , , , , , , , und . VLSI Technology and Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2023)Uniform Spin Qubit Devices with Tunable Coupling in an All-Silicon 300 mm Integrated Process., , , , , , , , , und 5 andere Autor(en). VLSI Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2021)