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Analysis and design based on small-signal equivalent circuit for a lO-GHz ring VCO with 65-nm CMOS., , , , , und . MWSCAS, Seite 904-907. IEEE, (2013)A 1ps-Resolution 2ns-Span 10Gb/s Data-Timing Generator with Spectrum Conversion., , , und . ISSCC, Seite 456-457. IEEE, (2008)A 250-Mb/s, 700-mW, 32-highway*8-b S/P converter LSI with cross-access memory., und . IEEE J. Solid State Circuits, 27 (4): 530-538 (April 1992)A 25-Gb/s LD driver with area-effective inductor in a 0.18-µm CMOS., , , , und . ASP-DAC, Seite 105-106. IEEE, (2013)A 10-Gb/s (1.25 Gb/s×8)4×2 0.25-μm CMOS/SIMOX ATM switch based on scalable distributed arbitration., , , , und . IEEE J. Solid State Circuits, 34 (12): 1921-1934 (1999)Small and Low-Cost Dual-Rate Optical Triplexer for OLT Transceivers in 10G/1G Co-existing 10G-EPON Systems., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). IEICE Trans. Electron., 96-C (7): 996-1002 (2013)A 10.3125Gb/s Burst-Mode CDR Circuit using a δσ DAC., , , , , und . ISSCC, Seite 226-227. IEEE, (2008)BiCMOS circuit technology for a 704 MHz ATM switch LSI., , , , , , , und . IEEE J. Solid State Circuits, 29 (5): 557-563 (Mai 1994)Area-Effective Inductive Peaking with Interwoven Inductor for High-Speed Laser-Diode Driver for Optical Communication System., , , , und . IEICE Trans. Fundam. Electron. Commun. Comput. Sci., 95-A (2): 479-486 (2012)A 16Gb/s area-efficient LD driver with interwoven inductor in a 0.18µm CMOS., , , , und . ASP-DAC, Seite 561-562. IEEE, (2012)