( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Kang, In Man"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Novel AlGaN/GaN omega-FinFETs with excellent device performances.

, , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 323-326. IEEE, (2016)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Man-Ok Kang

In-Won Kang

In-Soon Kang

Georg Man

Man Guo

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Enhancement Mode Flexible SnO2 Thin Film Transistors Via a UV/Ozone-Assisted Sol-Gel Approach., , , , , , , und . IEEE Access, (2020)Novel AlGaN/GaN omega-FinFETs with excellent device performances., , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 323-326. IEEE, (2016)Design optimization of Si/Ge-based heterojunction arch-shaped gate-all-around (GAA) tunneling field-effect transistor (TFET) which applicable for future mobile communication systems., , , , und . ICOIN, Seite 442-444. IEEE Computer Society, (2016)RF performance of InGaAs-based T-gate junctionless field-effect transistors which applicable for high frequency network systems., , , , und . ICOIN, Seite 519-520. IEEE Computer Society, (2015)InGaAs-based junctionless transistor with dual-spacer dielectric for low power loss and high frequency mobile network system., , , , und . ICOIN, Seite 436-438. IEEE Computer Society, (2016)Fabrication of high performance AlGaN/GaN FinFET by utilizing anisotropic wet etching in TMAH solution., , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 130-133. IEEE, (2015)Simulation study on scaling limit of silicon tunneling field-effect transistor under tunneling-predominance., , , , , und . IEICE Electron. Express, 9 (9): 828-833 (2012)InGaAs/Si Heterojunction Tunneling Field-Effect Transistor on Silicon Substrate., , , , , und . IEICE Trans. Electron., 97-C (7): 677-682 (2014)Rigorous Design and Analysis of Tunneling Field-Effect Transistor with Hetero-Gate-Dielectric and Tunneling-Boost n-Layer., , , , und . IEICE Trans. Electron., 96-C (5): 644-648 (2013)