Autor der Publikation

Reduction of Saturation Voltage in InGaAs-Channel/lnGaN-Drain Vertical FETs and the role of traps at the InGaAs/lnGaN junction.

, , , , , , und . DRC, Seite 149-150. IEEE, (2019)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

1/f Noise in GaN HEMTs grown under Ga-rich, N-rich, and NH3-rich conditions., , , , , , , , , und . Microelectron. Reliab., 51 (2): 212-216 (2011)Ultra-high speed modulation-doped field-effect transistors: a tutorial review., , und . Proc. IEEE, 80 (4): 494-518 (1992)Role of the AlGaN Cap Layer on the Trapping Behaviour of N-Polar GaN MISHEMTs., , , , , , , , , und 4 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-2. IEEE, (2021)Commercialization and reliability of 600 V GaN power switches., , , , , , , , , und 7 andere Autor(en). IRPS, Seite 6. IEEE, (2015)A Novel Concept using Derivative Superposition at the Device-Level to Reduce Linearity Sensitivity to Bias in N-polar GaN MISHEMT., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). DRC, Seite 1-2. IEEE, (2020)Self-aligned Scaled Planar N-polar GaN HEMTs with Raised Regrowth., , , , , , und . DRC, Seite 1-2. IEEE, (2024)Reduction of Saturation Voltage in InGaAs-Channel/lnGaN-Drain Vertical FETs and the role of traps at the InGaAs/lnGaN junction., , , , , , und . DRC, Seite 149-150. IEEE, (2019)Ultrahigh efficiency obtained with GaAs-on-insulator MESFET technology., , , , , , , , und . IEEE J. Solid State Circuits, 34 (9): 1239-1245 (1999)Short-Circuit Capability with GaN HEMTs : Invited., , , , , , , und . IRPS, Seite 1-7. IEEE, (2022)Deep Level Effects in N-Polar AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: Toward Zero Dispersion Effects., , , , , , , , , und 3 andere Autor(en). IRPS, Seite 5. IEEE, (2024)