Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Semiconductor quantum dots for application in diode lasers, , , , , und . Thin Solid Films, (1998)Electron Emission from InAs Quantum Dots, , , , und . Proc. 24th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-24), Jerusalem 1998, Seite 1339. Singapore, World Scientific, (1998)Binary AlAs/GaAs Versus Ternary GaAlAs/GaAs Interfaces --- a Dramatic Difference of Perfection, , , , , , und . Journal of Vacuum Science and Technology B, (1992)Electron escape from InAs quantum dots, , , , , , , und . Phys.~Rev.~B, (1999)Luminescence and Structural Properties of (In,Ga)As/GaAs Quantum Dots, , , , , , , , , und 8 andere Autor(en). Proc. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond., (ICPS-22), (Vancouver, Canada, 1994), Singapore, World Scientific, (1995)Atomic structure of stacked InAs quantum dots grown by metal-organic chemical-vapor depostion, , , , , , und . Journal of Vacuum Science and Technology B, (1999)Room-temperature continuous-wave lasing from stacked InAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition, , , , , , und . Appl.~Phys.~Lett., (1997)High-power quantum-dot lasers at 1100 nm, , , und . Appl. Phys. Lett., 76 (5): 556--558 (2000)High-resolution x-ray diffraction of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures, , , , und . Appl.~Phys.~Lett., 68 (6): 785--787 (1996)Cross-sectional scanning-tunneling microscopy of stacked InAs quantum dots, , , , , , , und . Appl.~Phys.~Lett., (1999)