( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Huang, Ru"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Enhance the Robustness to Time Dependent Variability of ReRAM-Based Neuromorphic Computing Systems with Regularization and 2R Synapse.

, , , , , , , und . ISCAS, Seite 1-5. IEEE, (2019)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Ru-Jin Huang

Ru Zhang

Ru Xie

Tomasz Ru

Ru Hao

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

A 0.39-mm2 Stacked Standard-CMOS Humidity Sensor Using a Charge-Redistribution Correlated Level Shifting Floating Inverter Amplifier and a VCO-Based Zoom CDC., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). IEEE J. Solid State Circuits, 59 (2): 435-448 (Februar 2024)Theory and verification of operator design methodology., , , , , und . Sci. China Inf. Sci., 55 (2): 480-490 (2012)Hot carrier degradation behavior in SOI dynamic-threshold-voltage nMOSFET's (n-DTMOSFET) measured by gated-diode configuration., , , , , und . Microelectron. Reliab., 43 (5): 707-711 (2003)PDNNet: PDN-Aware GNN-CNN Heterogeneous Network for Dynamic IR Drop Prediction., , , , , und . CoRR, (2024)MPCViT: Searching for Accurate and Efficient MPC-Friendly Vision Transformer with Heterogeneous Attention., , , , , , , und . ICCV, Seite 5029-5040. IEEE, (2023)Investigation of Positive Bias Temperature Instability in advanced FinFET nodes., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2024)New Insights into the Random Telegraph Noise (RTN) in FinFETs at Cryogenic Temperature., , , , , , und . IRPS, Seite 6. IEEE, (2024)Characterization and Modelling of Hot Carrier Degradation in pFETs under Vd>Vg Condition for sub-20nm DRAM Technologies., , , , , , , und . IRPS, Seite 7. IEEE, (2022)Duty cycle shift under static/dynamic aging in 28nm HK-MG technology., , , , , , und . IRPS, Seite 7. IEEE, (2015)Investigation on the amplitude coupling effect of random telegraph noise (RTN) in nanoscale FinFETs., , , , , , und . IRPS, Seite 6-1. IEEE, (2018)