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Soft Errors induced by single heavy ions in Floating Gate memory arrays., , , und . DFT, Seite 275-284. IEEE Computer Society, (2005)Erratic Effects of Irradiation in Floating Gate Memory Cells., , , und . IOLTS, Seite 51-56. IEEE Computer Society, (2006)Accelerated reliability testing of flash memory: Accuracy and issues on a 45nm NOR technology., , , , , , , , , und . ICICDT, Seite 37-40. IEEE, (2013)Single Event Effects in 1Gbit 90nm NAND Flash Memories under Operating Conditions., , , , , , und . IOLTS, Seite 146-151. IEEE Computer Society, (2007)Cycling-induced threshold-voltage instabilities in nanoscale NAND flash memories: Sensitivity to the array background pattern., , , , , , und . ESSDERC, Seite 54-57. IEEE, (2014)Reviewing the Evolution of the NAND Flash Technology., , , , , und . Proc. IEEE, 105 (9): 1609-1633 (2017)Comprehensive Reliability Assessment of 32Gb (Hf,Zr)O2-Based Ferroelectric NVDRAM., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-8. IEEE, (2024)Introduction to flash memory., , , und . Proc. IEEE, 91 (4): 489-502 (2003)