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Reconfigurable ferroelectric hafnium oxide FeFET fabricated in 28 nm CMOS technology for mmWave applications., , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 113-116. IEEE, (2023)Hafnium oxide-based Ferroelectric Memories: Are we ready for Application?, , , , , , , , , und . IMW, Seite 1-4. IEEE, (2023)Comparison of Analog and Noise Performance between Buried Channel versus Surface Devices in HKMG I/O Devices., , , , , , , , , und 3 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-4. IEEE, (2021)Enhanced reliability and trapping behavior in ferroelectric FETs under cryogenic conditions., , , , , , , , , und 4 andere Autor(en). IMW, Seite 1-4. IEEE, (2024)Interfacial Layer Engineering to Enhance Noise Immunity of FeFETs for IMC Applications., , , , , , , , , und 3 andere Autor(en). ICICDT, Seite 8-11. IEEE, (2022)Impact of Temperature on Reliability of MFIS HZO-based Ferroelectric Tunnel Junctions., , , , , , , , , und 5 andere Autor(en). IRPS, Seite 11-1. IEEE, (2022)Roadmap for Ferroelectric Memory: Challenges and Opportunities for IMC Applications., , , , , und . ISOCC, Seite 167-168. IEEE, (2022)Endurance improvements and defect characterization in ferroelectric FETs through interface fluorination., , , , , , , , , und 4 andere Autor(en). IMW, Seite 1-4. IEEE, (2022)FeFET based LIF Neuron with Learnable Threshold and Time Constant., , , , , , , und . DRC, Seite 1-2. IEEE, (2024)