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Design techniques for in-field memristor forming circuits., , , und . MWSCAS, Seite 1224-1227. IEEE, (2017)Optimization of Switching Metrics for CMOS Integrated HfO2 based RRAM Devices on 300 mm Wafer Platform., , , , , und . IMW, Seite 1-4. IEEE, (2021)Accurate Inference with Inaccurate RRAM Devices: Statistical Data, Model Transfer, and On-line Adaptation., , , , , , , und . DAC, Seite 1-6. IEEE, (2020)An extendable multi-purpose 3D neuromorphic fabric using nanoscale memristors., , , , , und . CISDA, Seite 1-8. IEEE, (2015)In-memory Computation of Error-Correcting Codes Using a Reconfigurable HfOx ReRAM 1T1R Array., , , , , und . MWSCAS, Seite 593-598. IEEE, (2021)Techniques for Improved Reliability in Memristive Crossbar PUF Circuits., , , , , , und . ISVLSI, Seite 212-217. IEEE Computer Society, (2016)Fabrication and Performance of Hybrid ReRAM-CMOS Circuit Elements for Dynamic Neural Networks., , , , , , , , und . ICONS, Seite 6:1-6:4. ACM, (2019)Flow-based computing on nanoscale crossbars: Design and implementation of full adders., , , , und . ISCAS, Seite 1870-1873. IEEE, (2016)Bilayer Ga-Sb Phase Change Memory with Intermediate Resistance State., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). DRC, Seite 1-2. IEEE, (2021)A practical hafnium-oxide memristor model suitable for circuit design and simulation., , , , und . ISCAS, Seite 1-4. IEEE, (2017)