From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

CIMR-V: An End-to-End SRAM-based CIM Accelerator with RISC-V for AI Edge Device.

Y. Guo, T. Chang, C. Lin, B. Chiou, C. Lai, S. Sheu, W. Lo, и S. Chang. ISCAS, стр. 1-5. IEEE, (2024)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Sheu-Sheu Tan

Ming-Shye Sheu

Huey-jen Sheu

Ching-Long Sheu

Sien-Yi Sheu

Другие публикации лиц с тем же именем

17.5 A 3T1R nonvolatile TCAM using MLC ReRAM with Sub-1ns search time.M. Chang, C. Lin, A. Lee, C. Kuo, G. Yang, H. Tsai, T. Chen, S. Sheu, P. Tseng, H. Lee и 1 other автор(ы). ISSCC, стр. 1-3. IEEE, (2015)U-MRAM: Transistor-Less, High-Speed (10 ns), Low-Voltage (0.6 V), Field-Free Unipolar MRAM for High-Density Data Memory.M. Wu, M. Hong, C. Shih, Y. Chang, Y. Hsin, S. Chiu, K. Chen, Y. Su, C. Wang, S. Yang и 11 other автор(ы). VLSI Technology and Circuits, стр. 1-2. IEEE, (2023)NV-BNN: An Accurate Deep Convolutional Neural Network Based on Binary STT-MRAM for Adaptive AI Edge.C. Chang, M. Wu, J. Lin, C. Li, V. Parmar, H. Lee, J. Wei, S. Sheu, M. Suri, T. Chang и 1 other автор(ы). DAC, стр. 30. ACM, (2019)CIMR-V: An End-to-End SRAM-based CIM Accelerator with RISC-V for AI Edge Device.Y. Guo, T. Chang, C. Lin, B. Chiou, C. Lai, S. Sheu, W. Lo, и S. Chang. ISCAS, стр. 1-5. IEEE, (2024)A 4K-400K Wide Operating-Temperature-Range MRAM Technology with Ultrathin Composite Free Layer and Magnesium Spacer.M. Hong, Y. Chang, Y. Hsin, L. Liu, K. Chen, Y. Su, G. Chen, S. Yang, I. Wang, S. Rahaman и 11 other автор(ы). VLSI Technology and Circuits, стр. 379-380. IEEE, (2022)A 28nm 1Mb Time-Domain Computing-in-Memory 6T-SRAM Macro with a 6.6ns Latency, 1241GOPS and 37.01TOPS/W for 8b-MAC Operations for Edge-AI Devices.P. Wu, J. Su, Y. Chung, L. Hong, J. Ren, F. Chang, Y. Wu, H. Chen, C. Lin, H. Hsiao и 10 other автор(ы). ISSCC, стр. 1-3. IEEE, (2022)16.3 A 28nm 384kb 6T-SRAM Computation-in-Memory Macro with 8b Precision for AI Edge Chips.J. Su, Y. Chou, R. Liu, T. Liu, P. Lu, P. Wu, Y. Chung, L. Hung, J. Ren, T. Pan и 11 other автор(ы). ISSCC, стр. 250-252. IEEE, (2021)A 55nm 1-to-8 bit Configurable 6T SRAM based Computing-in-Memory Unit-Macro for CNN-based AI Edge Processors.Z. Zhang, J. Chen, X. Si, Y. Tu, J. Su, W. Huang, J. Wang, W. Wei, Y. Chiu, J. Hong и 6 other автор(ы). A-SSCC, стр. 217-218. IEEE, (2019)A nonvolatile look-up table using ReRAM for reconfigurable logic.W. Lin, S. Sheu, C. Kuo, P. Tseng, M. Chang, K. Su, C. Lin, K. Tsai, S. Lee, S. Liu и 7 other автор(ы). A-SSCC, стр. 133-136. IEEE, (2014)Circuit Design Challenges in Computing-in-Memory for AI Edge Devices.X. Si, H. Qian, M. Chang, C. Xue, J. Su, Z. Zhang, S. Li, S. Sheu, H. Lee, P. Chen и 1 other автор(ы). ASICON, стр. 1-4. IEEE, (2019)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter