From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

NBTI in Si0.55Ge0.45 cladding p-FinFETs: Porting the superior reliability from planar to 3D architectures.

J. Franco, B. Kaczer, P. Roussel, E. Bury, H. Mertens, R. Ritzenthaler, T. Grasser, N. Horiguchi, A. Thean, и G. Groeseneken. IRPS, стр. 2. IEEE, (2015)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Kurt Bury

Dagmar Bury

Carsten Bury

Ernst Bury

Yvonne Bury

Другие публикации лиц с тем же именем

Characterization of time-dependent variability using 32k transistor arrays in an advanced HK/MG technology.P. Weckx, B. Kaczer, C. Chen, J. Franco, E. Bury, K. Chanda, J. Watt, P. Roussel, F. Catthoor, и G. Groeseneken. IRPS, стр. 3. IEEE, (2015)A Physically Unclonable Function with 0% BER Using Soft Oxide Breakdown in 40nm CMOS.K. Chuang, E. Bury, R. Degraeve, B. Kaczer, D. Linten, и I. Verbauwhede. A-SSCC, стр. 157-160. IEEE, (2018)The properties, effect and extraction of localized defect profiles from degraded FET characteristics.M. Vandemaele, B. Kaczer, S. Tyaginov, J. Franco, R. Degraeve, A. Chasin, Z. Wu, E. Bury, Y. Xiang, H. Mertens и 1 other автор(ы). IRPS, стр. 1-7. IEEE, (2021)A BSIM-Based Predictive Hot-Carrier Aging Compact Model.Y. Xiang, S. Tyaginov, M. Vandemaele, Z. Wu, J. Franco, E. Bury, B. Truijen, B. Parvais, D. Linten, и B. Kaczer. IRPS, стр. 1-9. IEEE, (2021)A brief overview of gate oxide defect properties and their relation to MOSFET instabilities and device and circuit time-dependent variability.B. Kaczer, J. Franco, P. Weckx, P. Roussel, V. Putcha, E. Bury, M. Simicic, A. Chasin, D. Linten, B. Parvais и 4 other автор(ы). Microelectron. Reliab., (2018)The defect-centric perspective of device and circuit reliability - From individual defects to circuits.B. Kaczer, J. Franco, P. Weckx, P. Roussel, E. Bury, M. Cho, R. Degraeve, D. Linten, G. Groeseneken, H. Kukner и 5 other автор(ы). ESSDERC, стр. 218-225. IEEE, (2015)Investigating Nanowire, Nanosheet and Forksheet FET Hot-Carrier Reliability via TCAD Simulations: Invited Paper.M. Vandemaele, B. Kaczer, E. Bury, J. Franco, A. Chasin, A. Makarov, H. Mertens, G. Hellings, и G. Groeseneken. IRPS, стр. 1-10. IEEE, (2023)Improving the Tamper-Aware Odometer Concept by Enhancing Dynamic Stress Operation.J. Diaz-Fortuny, D. Sangani, P. Saraza-Canflanca, E. Bury, R. Degraeve, и B. Kaczer. IRPS, стр. 1-9. IEEE, (2023)Simulation Comparison of Hot-Carrier Degradation in Nanowire, Nanosheet and Forksheet FETs.M. Vandemaele, B. Kaczer, S. Tyaginov, E. Bury, A. Chasin, J. Franco, A. Makarov, H. Mertens, G. Hellings, и G. Groeseneken. IRPS, стр. 6. IEEE, (2022)Temperature Dependent Mismatch and Variability in a Cryo-CMOS Array with 30k Transistors.A. Grill, V. John, J. Michl, A. Beckers, E. Bury, S. Tyaginov, B. Parvais, A. Chasin, T. Grasser, M. Waltl и 2 other автор(ы). IRPS, стр. 10. IEEE, (2022)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter