Artikel in einem Konferenzbericht,

25.2 A 1.2V 8Gb 8-channel 128GB/s high-bandwidth memory (HBM) stacked DRAM with effective microbump I/O test methods using 29nm process and TSV.

, , , , , , , , , , , , , , , , und .
ISSCC, Seite 432-433. IEEE, (2014)

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