( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Saito, Wataru"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Accelerating the Recovery of p-Gate GaN HEMTs after Overvoltage Stresses.

, , , , , , und . IRPS, Seite 22-1. IEEE, (2022)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Wataru Kobayashi

Kaku Saito

Itohei Saito

Naoki Saito

Mitsuhiro Saito

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

3D scaling for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with low Vce(sat)., , , , , , , , , und 12 andere Autor(en). ASICON, Seite 1137-1140. IEEE, (2017)Estimating of IGBT Bond Wire Lift-Off Trend Using Convolutional Neural Network (CNN)., , , , , , und . IEEE Access, (2024)A Low Noise 8Mpixel CMOS Image Sensor with 5.36GHz Global Counter and Dual Latch Skew Canceler for Surveillance AI Camera System., , , , , und . A-SSCC, Seite 1-3. IEEE, (2023)IGBT Power Module Design for Suppressing Gate Voltage Spike at Digital Gate Control., , , , , und . IEEE Access, (2023)Switching of 3300V Scaled IGBT by 5V Gate Drive., , , , , , , , , und 13 andere Autor(en). ASICON, Seite 1-3. IEEE, (2019)GaN MIS-HEMTs in Repetitive Overvoltage Switching: Parametric Shift and Recovery., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 10. IEEE, (2022)Accelerating the Recovery of p-Gate GaN HEMTs after Overvoltage Stresses., , , , , , und . IRPS, Seite 22-1. IEEE, (2022)An ADC Test Technique With Dual-Path/Multi-Functional Fine Pattern Generator Realizing High Accuracy Measurement for CMOS Image Sensor., , und . ATS, Seite 1-6. IEEE, (2020)A Low Noise and Linearity Improvement CMOS Image Sensor for Surveillance Camera with Skew-Relaxation Local Multiply Circuit and On-Chip Testable Ramp Generator., , , , und . A-SSCC, Seite 1-3. IEEE, (2021)UIS test of high-voltage GaN-HEMTs with p-type gate structure., und . Microelectron. Reliab., (2016)