( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Anghel, Costin"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Bipolar ReRAM Based non-volatile flip-flops for low-power architectures.

, , , , , , , , und . NEWCAS, Seite 417-420. IEEE, (2012)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Henry Anghel

Costin Manolache

Costin Caval

Anghel Rugina

Costin Raiciu

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

A 32nm tunnel FET SRAM for ultra low leakage., , , , und . ISCAS, Seite 2517-2520. IEEE, (2012)Tunnel FET based refresh-free-DRAM., , , , und . DATE, Seite 914-917. IEEE, (2017)1.56GHz/0.9V energy-efficient reconfigurable CAM/SRAM using 6T-CMOS bitcell., , , , und . ESSCIRC, Seite 316-319. IEEE, (2017)16Kb hybrid TFET/CMOS reconfigurable CAM/SRAM array based on 9T-TFET bitcell., , , , und . ESSDERC, Seite 356-359. IEEE, (2016)RRAM-based FPGA for "normally off, instantly on" applications., , , , , , , und . NANOARCH, Seite 101-108. ACM, (2012)Tunnel FET based ultra-low-leakage compact 2T1C SRAM., , , , und . ISQED, Seite 71-75. IEEE, (2017)Ultra-Low-Power compact TFET Flip-Flop design for high-performance low-voltage applications., , , , und . ISQED, Seite 107-112. IEEE, (2016)3T-TFET bitcell based TFET-CMOS hybrid SRAM design for Ultra-Low Power applications., , , , und . DATE, Seite 361-366. IEEE, (2016)Bulk and FDSOI SRAM resiliency to radiation effects., , , und . MWSCAS, Seite 655-658. IEEE, (2014)A 2-Gb/s 60 GHz transmission-gate based 130nm CMOS on-off keying modulator., , und . ICECS, Seite 420-422. IEEE, (2016)