Autor der Publikation

Impact of statistical variability and charge trapping on 14 nm SOI FinFET SRAM cell stability.

, , , , , , und . ESSDERC, Seite 234-237. IEEE, (2013)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Accurate simulations of the interplay between process and statistical variability for nanoscale FinFET-based SRAM cell stability., , , , und . ESSDERC, Seite 349-352. IEEE, (2014)The scalability of 8T-SRAM cells under the influence of intrinsic parameter fluctuations., , und . ESSCIRC, Seite 93-96. IEEE, (2007)Statistical NBTI-effect prediction for ULSI circuits., , , und . ISCAS, Seite 2494-2497. IEEE, (2010)Impact of Random Dopant Induced Statistical Variability on Inverter Switching Trajectories and Timing Variability., , , und . ISCAS, Seite 577-580. IEEE, (2009)Statistical simulations of 6T-SRAM cell ageing using a reliability aware simulation flow., , , , , , , , , und 5 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 238-241. IEEE, (2015)SRAM device and cell co-design considerations in a 14nm SOI FinFET technology., , , , , , , und . ISCAS, Seite 2339-2342. IEEE, (2013)Statistical aspects of NBTI/PBTI and impact on SRAM yield., , und . DATE, Seite 1480-1485. IEEE, (2011)Variability resilient low-power 7T-SRAM design for nano-scaled technologies., , und . ISQED, Seite 9-14. IEEE, (2010)Probabilistic computing with future deep sub-micrometer devices: a modelling approach., , , , und . ISCAS (3), Seite 2510-2513. IEEE, (2005)The impact of random doping effects on CMOS SRAM cell., , und . ESSCIRC, Seite 219-222. IEEE, (2004)