( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Johnson, Jeffrey B."

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Understanding ESD Induced Thermal Mechanism in FinFETs Through Predictive TCAD Simulation.

, , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-4. IEEE, (2020)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Jeffrey Johnson

Jeffrey Gaynor

Jeffrey Donahue

Jeffrey Windisch

Jeffrey Wimmer

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

A novel CMOS compatible embedded nonvolatile memory with zero process adder., , , , und . MTDT, Seite 9-12. IEEE Computer Society, (2005)Analyzing continuous infrasound from Stromboli volcano, Italy using unsupervised machine learning., und . Comput. Geosci., (2020)UAV-Based Quantification of Dynamic Lahar Channel Morphology at Volcán de Fuego, Guatemala., , , , und . Remote. Sens., 15 (15): 3713 (August 2023)Unoccupied Aircraft Systems (UASs) Reveal the Morphological Changes at Stromboli Volcano (Italy) before, between, and after the 3 July and 28 August 2019 Paroxysmal Eruptions., , , , , , , , , und 4 andere Autor(en). Remote. Sens., 13 (15): 2870 (2021)Silicon CMOS devices beyond scaling., , , , , , , , , und . IBM J. Res. Dev., 50 (4-5): 339-362 (2006)The evolution of IBM CMOS DRAM technology., , , , , , , , , und 5 andere Autor(en). IBM J. Res. Dev., 39 (1-2): 167-188 (1995)Design automation methodology and rf/analog modeling for rf CMOS and SiGe BiCMOS technologies., , , , , , , , , und 8 andere Autor(en). IBM J. Res. Dev., 47 (2-3): 139-176 (2003)The seismoacoustic wavefield: A new paradigm in studying geophysical phenomena, , , und . Reviews of Geophysics, 48 (4): RG4003+ (04.12.2010)SiGe BiCMOS Trends - Today and Tomorrow., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). CICC, Seite 695-702. IEEE, (2006)Understanding ESD Induced Thermal Mechanism in FinFETs Through Predictive TCAD Simulation., , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-4. IEEE, (2020)