From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

7.5 A 128Gb 2b/cell NAND flash memory in 14nm technology with tPROG=640µs and 800MB/s I/O rate.

S. Lee, J. Lee, I. Park, J. Park, S. Yun, M. Kim, J. Lee, M. Kim, K. Lee, T. Kim, B. Cho, D. Cho, S. Yun, J. Im, H. Yim, K. Kang, S. Jeon, S. Jo, Y. Ahn, S. Joe, S. Kim, D. kyun Woo, J. Park, H. Park, Y. Kim, J. Park, Y. Choi, M. Hirano, J. Ihm, B. Jeong, S. Lee, M. Kim, H. Lee, S. Seo, H. Jeon, C. ho Kim, H. Kim, J. Kim, Y. Yim, H. Kim, D. Byeon, H. Yang, K. Park, K. Kyung, и J. Choi. ISSCC, стр. 138-139. IEEE, (2016)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Jong-Ki Park

Wan-Ki Park

Sang-Ki Park

Kwang-Ki Park

Tae Seok Park

Другие публикации лиц с тем же именем

7.1 256Gb 3b/cell V-NAND flash memory with 48 stacked WL layers.D. Kang, W. Jeong, C. Kim, D. Kim, Y. Cho, K. Kang, J. Ryu, K. Kang, S. Lee, W. Kim и 20 other автор(ы). ISSCC, стр. 130-131. IEEE, (2016)A Low Power and Area Scalable High Voltage Switch Technique for Low Operation Voltage in MLC NAND Flash Memory.M. Kang, K. Park, Y. Song, S. Lee, Y. Song, и Y. Lim. IEICE Trans. Electron., 93-C (2): 182-186 (2010)7.5 A 128Gb 2b/cell NAND flash memory in 14nm technology with tPROG=640µs and 800MB/s I/O rate.S. Lee, J. Lee, I. Park, J. Park, S. Yun, M. Kim, J. Lee, M. Kim, K. Lee, T. Kim и 35 other автор(ы). ISSCC, стр. 138-139. IEEE, (2016)Photographic Color Reproduction Based on Color Variation Characteristics of Digital Camera.U. Kim, J. Lee, Y. Kim, K. Park, и Y. Moon. KSII Trans. Internet Inf. Syst., 5 (11): 2160-2174 (2011)Object detection in infrared image with sea clutter.K. Park, и J. Jeong. SCIS&ISIS, стр. 2143-2146. IEEE, (2012)256 Gb 3 b/Cell V-nand Flash Memory With 48 Stacked WL Layers.D. Kang, W. Jeong, C. Kim, D. Kim, Y. Cho, K. Kang, J. Ryu, K. Kang, S. Lee, W. Kim и 19 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 52 (1): 210-217 (2017)A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory With 1 Gb/s I/O Rate.W. Jeong, J. Im, D. Kim, S. Nam, D. Shim, M. Choi, H. Yoon, D. Kim, Y. Kim, H. Park и 19 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 51 (1): 204-212 (2016)Smart Vision Chip Fabricated Using Three Dimensional Integration Technology.H. Kurino, M. Nakagawa, K. Lee, T. Nakamura, Y. Yamada, K. Park, и M. Koyanagi. NIPS, стр. 720-726. MIT Press, (2000)Key Frame Extraction Based on Shot Coverage and Distortion.K. Park, J. Lee, K. Rim, и Y. Moon. PCM (2), том 3768 из Lecture Notes in Computer Science, стр. 291-300. Springer, (2005)A 1Tb 4b/cell 64-stacked-WL 3D NAND flash memory with 12MB/s program throughput.S. Lee, C. Kim, M. Kim, S. Joe, J. Jang, S. Kim, K. Lee, J. Kim, J. Park, H. Lee и 32 other автор(ы). ISSCC, стр. 340-342. IEEE, (2018)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter