From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

7.5 A 128Gb 2b/cell NAND flash memory in 14nm technology with tPROG=640µs and 800MB/s I/O rate.

S. Lee, J. Lee, I. Park, J. Park, S. Yun, M. Kim, J. Lee, M. Kim, K. Lee, T. Kim, B. Cho, D. Cho, S. Yun, J. Im, H. Yim, K. Kang, S. Jeon, S. Jo, Y. Ahn, S. Joe, S. Kim, D. kyun Woo, J. Park, H. Park, Y. Kim, J. Park, Y. Choi, M. Hirano, J. Ihm, B. Jeong, S. Lee, M. Kim, H. Lee, S. Seo, H. Jeon, C. ho Kim, H. Kim, J. Kim, Y. Yim, H. Kim, D. Byeon, H. Yang, K. Park, K. Kyung, и J. Choi. ISSCC, стр. 138-139. IEEE, (2016)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Ky ng Kim

Die Artikelstruktur in passiven zweisprachigen Wörterbüchern Deutsch-Koreanisch: Konzeption zur Erstellung eines zweisprachigen Lernerwörterbuchs Deutsch-KoreanischK. Kim. Uni Heidelberg, (2008)

Kim Gerber

Bongcheol Kim

Youngsang Kim

Ryong Kim

Другие публикации лиц с тем же именем

7.2 A 128Gb 3b/cell V-NAND flash memory with 1Gb/s I/O rate.J. Im, W. Jeong, D. Kim, S. Nam, D. Shim, M. Choi, H. Yoon, D. Kim, Y. Kim, H. Park и 24 other автор(ы). ISSCC, стр. 1-3. IEEE, (2015)Variation-Tolerant WL Driving Scheme for High-Capacity NAND Flash Memory.J. Ko, Y. Yang, J. Kim, C. Lee, Y. Min, J. Chun, M. Kim, и S. Jung. IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 27 (8): 1828-1839 (2019)When Crowd Meets Persona: Creating a Large-Scale Open-Domain Persona Dialogue Corpus.W. Cho, Y. Lee, S. Bae, J. Kim, S. Park, M. Kim, S. Hahn, и N. Kim. CoRR, (2023)A 64Gb 533Mb/s DDR interface MLC NAND Flash in sub-20nm technology.D. Lee, I. Chang, S. Yoon, J. Jang, D. Jang, W. Hahn, J. Park, D. Kim, C. Yoon, B. Lim и 27 other автор(ы). ISSCC, стр. 430-432. IEEE, (2012)A 3.0 Gb/s/pin 4th generation F-chip with Toggle 5.0 Specification for 16Tb NAND Flash Memory Multi chip Package.Y. Jo, A. Kavala, T. Kim, B. Chun, J. Park, T. Lee, J. Seo, M. Yang, T. Park, H. Kwon и 20 other автор(ы). VLSI Technology and Circuits, стр. 1-2. IEEE, (2023)A 1Tb 3b/Cell 8th-Generation 3D-NAND Flash Memory with 164MB/s Write Throughput and a 2.4Gb/s Interface.M. Kim, S. Yun, J. Park, H. Park, J. Lee, Y. Kim, D. Na, S. Choi, Y. Song, J. Lee и 24 other автор(ы). ISSCC, стр. 136-137. IEEE, (2022)11.4 A 512Gb 3b/cell 64-stacked WL 3D V-NAND flash memory.C. Kim, J. Cho, W. Jeong, I. Park, H. Park, D. Kim, D. Kang, S. Lee, J. Lee, W. Kim и 34 other автор(ы). ISSCC, стр. 202-203. IEEE, (2017)256 Gb 3 b/Cell V-nand Flash Memory With 48 Stacked WL Layers.D. Kang, W. Jeong, C. Kim, D. Kim, Y. Cho, K. Kang, J. Ryu, K. Kang, S. Lee, W. Kim и 19 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 52 (1): 210-217 (2017)A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory With 1 Gb/s I/O Rate.W. Jeong, J. Im, D. Kim, S. Nam, D. Shim, M. Choi, H. Yoon, D. Kim, Y. Kim, H. Park и 19 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 51 (1): 204-212 (2016)7.5 A 128Gb 2b/cell NAND flash memory in 14nm technology with tPROG=640µs and 800MB/s I/O rate.S. Lee, J. Lee, I. Park, J. Park, S. Yun, M. Kim, J. Lee, M. Kim, K. Lee, T. Kim и 35 other автор(ы). ISSCC, стр. 138-139. IEEE, (2016)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter