Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Anti-ferroelectric ZrO2, an enabler for low power non-volatile 1T-1C and 1T random access memories., , , , , , , und . ESSDERC, Seite 160-163. IEEE, (2017)Variants of Ferroelectric Hafnium Oxide based Nonvolatile Memories., , , , , , und . DRC, Seite 207-208. IEEE, (2019)Ferroelectric Hf1-xZrxO2 memories: device reliability and depolarization fields., , , , , und . NVMTS, Seite 1-8. IEEE, (2019)HZO-based Nonvolatile SRAM Array with 100% Bit Recall Yield and Sufficient Retention Time at 85°C., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). VLSI Technology and Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2024)Embedding hafnium oxide based FeFETs in the memory landscape., , und . ICICDT, Seite 121-124. IEEE, (2018)Unleashing the Potential of Integrated Ferroelectric Devices with Hafnium Oxide., , und . DRC, Seite 1-2. IEEE, (2022)Reliability aspects of ferroelectric hafnium oxide for application in non-volatile memories., , , , , und . IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2021)High-Endurance and Low-Voltage operation of 1T1C FeRAM Arrays for Nonvolatile Memory Application., , , , , , , , , und 5 andere Autor(en). IMW, Seite 1-3. IEEE, (2021)Comparison of hafnia and PZT based ferroelectrics for future non-volatile FRAM applications., , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 369-372. IEEE, (2016)Impact of field cycling on HfO2 based non-volatile memory devices., , , , , , , , , und 10 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 364-368. IEEE, (2016)