Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Variability of planar Ultra-Thin Body and Buried oxide (UTBB) FDSOI MOSFETs., , , , , und . ICICDT, Seite 1-4. IEEE, (2014)CMOS VT characterization by capacitance measurements in FDSOI PIN gated diodes., , , , , und . ESSDERC, Seite 405-408. IEEE, (2014)Powering AI at the Edge: A Robust, Memristor-based Binarized Neural Network with Near-Memory Computing and Miniaturized Solar Cell., , , , , , , , , und 6 andere Autor(en). CoRR, (2023)High temperature stability embedded ReRAM for 2x nm node and beyond., , , , , , , , , und 9 andere Autor(en). IMW, Seite 1-4. IEEE, (2022)Hardware calibrated learning to compensate heterogeneity in analog RRAM-based Spiking Neural Networks., , , , , , , , , und 3 andere Autor(en). ISCAS, Seite 380-383. IEEE, (2022)Ultra-High-density 3D vertical RRAM with stacked JunctionLess nanowires for In-Memory-Computing applications., , , , , , , , und . CoRR, (2020)32nm and beyond Multi-VT Ultra-Thin Body and BOX FDSOI: From device to circuit., , , , , , , , , und 4 andere Autor(en). ISCAS, Seite 1703-1706. IEEE, (2010)Multibranch mobility characterization: Evidence of carrier mobility enhancement by back-gate biasing in FD-SOI MOSFET., , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 209-212. IEEE, (2012)Impact of spacer interface charges on performance and reliability of low temperature transistors for 3D sequential integration., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2021)Opportunities brought by sequential 3D CoolCube™ integration., , , , , , , , , und 11 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 226-229. IEEE, (2016)