( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Huang, Ru"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
30.5 A Variation-Tolerant In-eDRAM Continuous-Time Ising Machine Featuring 15-Level Coefficients and Leaked Negative-Feedback Annealing.

, , , , , , , , und . ISSCC, Seite 490-492. IEEE, (2024)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Ru-Jin Huang

Ru Zhang

Ru Xie

Tomasz Ru

Ru Hao

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Hot carrier degradation behavior in SOI dynamic-threshold-voltage nMOSFET's (n-DTMOSFET) measured by gated-diode configuration., , , , , und . Microelectron. Reliab., 43 (5): 707-711 (2003)S2D-CIM: A 22nm 128Kb Systolic Digital Compute-in-Memory Macro with Domino Data Path for Flexible Vector Operation and 2-D Weight Update in Edge AI Applications., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). CICC, Seite 1-2. IEEE, (2024)Quartet: A 22nm 0.09mJ/lnference Digital Compute-in-Memory Versatile AI Accelerator with Heterogeneous Tensor Engines and Off-Chip-Less Dataflow., , , , , , , , , und . CICC, Seite 1-2. IEEE, (2024)An 8b 1GS/s SAR ADC with Metastability-Based Resolution/Speed Enhancement and Self-Tuning Delay Achieving 47.2dB SNDR at Nyquist Input., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). CICC, Seite 1-2. IEEE, (2024)Theory and verification of operator design methodology., , , , , und . Sci. China Inf. Sci., 55 (2): 480-490 (2012)PDNNet: PDN-Aware GNN-CNN Heterogeneous Network for Dynamic IR Drop Prediction., , , , , und . CoRR, (2024)MPCViT: Searching for Accurate and Efficient MPC-Friendly Vision Transformer with Heterogeneous Attention., , , , , , , und . ICCV, Seite 5029-5040. IEEE, (2023)Investigation of Positive Bias Temperature Instability in advanced FinFET nodes., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2024)New Insights into the Random Telegraph Noise (RTN) in FinFETs at Cryogenic Temperature., , , , , , und . IRPS, Seite 6. IEEE, (2024)Characterization and Modelling of Hot Carrier Degradation in pFETs under Vd>Vg Condition for sub-20nm DRAM Technologies., , , , , , , und . IRPS, Seite 7. IEEE, (2022)