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On the Frequency Dependence of Bulk Trap Generation During AC Stress in Si and SiGe RMG P-FinFETs., , , , , und . IRPS, Seite 1-8. IEEE, (2019)BTI and HCD Degradation in a Complete 32 × 64 bit SRAM Array - including Sense Amplifiers and Write Drivers - under Processor Activity., , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-7. IEEE, (2020)Stochastic and Deterministic Modeling Frameworks for Time Kinetics of Gate Insulator Traps During and After Hot Carrier Stress in MOSFETs., , , , und . IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2021)A Theoretical Framework for Trap Generation and Passivation in NAND Flash Tunnel Oxide During Distributed Cycling and Retention Bake., , , und . IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2021)Analysis of The Hole Trapping Detrapping Component of NBTI Over Extended Temperature Range., , und . IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2020)A TCAD to SPICE Framework for Isolation of BTI and HCD in GAA-SNS FETs and to Estimate Impact on RO Under Normal and Overclocking Conditions., , und . IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2024)Hot Carrier Degradation in Cryo-CMOS., , , und . IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2020)Comprehensive physics-based modeling of post-cycling long-term data retention in 176L 3-D NAND Flash Memories., , , , , , , und . IMW, Seite 1-4. IEEE, (2024)Comprehensive Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) Characterization of Ferroelectric Capacitors Under Bipolar Stress Conditions., , , , , , , , , und 4 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2024)A Physics-based Model for Long Term Data Retention Characteristics in 3D NAND Flash Memory., , und . IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2023)