Autor der Publikation

Kopieren Löschen Diese Publikation zur Ablage hinzufügen
Community-Eintrag
Versionsverlauf dieses Eintrags
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

A dual-output hardening design of inverter chain for P-hit single-event transient pulse elimination.

C. Liu, C. Peng, Z. Lin, X. Wu, Z. Chen, Q. Zhao, X. Li, J. Chen, X. Zeng, und X. Hu. IEICE Electron. Express, 15 (15): 20180604 (2018)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Lin Lin

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Radiation-hardened 14T SRAM cell by polar design for space applications.L. Hao, B. Qiang, C. Dai, C. Peng, W. Lu, Z. Lin, L. Liu, Q. Zhao, X. Wu, und F. Sun. IEICE Electron. Express, 20 (13): 20230083 (2023)SRAM-Based Digital CIM Macro for Linear Interpolation and MAC.Z. Lin, Y. Liu, Y. Wang, Y. Zhao, C. Peng, und X. Wu. ISCAS, Seite 1-5. IEEE, (2024)Design of radiation-hardened memory cell by polar design for space applications.L. Hao, L. Liu, Q. Shi, B. Qiang, Z. Li, N. Liu, C. Dai, Q. Zhao, C. Peng, W. Lu und 2 andere Autor(en). Microelectron. J., (Februar 2023)The Design of High Performance, Low Power Triple-Track Magnetic Sensor Chip.X. Wu, M. Li, Z. Lin, M. Xi, und J. Chen. Sensors, 13 (7): 8771-8785 (2013)Analyzing and modeling mobility for infrastructure-less communication.Z. Lin, und X. Wu. J. Netw. Comput. Appl., (2015)Configurable Memory With a Multilevel Shared Structure Enabling In-Memory Computing.Y. Zhao, Z. Lin, X. Wu, Q. Zhao, W. Lu, C. Peng, Z. Tong, und J. Chen. IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 30 (5): 566-578 (2022)Two-Direction In-Memory Computing Based on 10T SRAM With Horizontal and Vertical Decoupled Read Ports.Z. Lin, Z. Zhu, H. Zhan, C. Peng, X. Wu, Y. Yao, J. Niu, und J. Chen. IEEE J. Solid State Circuits, 56 (9): 2832-2844 (2021)Half-Select Disturb-Free 10T Tunnel FET SRAM Cell With Improved Noise Margin and Low Power Consumption.Z. Lin, L. Li, X. Wu, C. Peng, W. Lu, und Q. Zhao. IEEE Trans. Circuits Syst. II Express Briefs, 68 (7): 2628-2632 (2021)Challenges and Solutions of the TFET Circuit Design.Z. Lin, P. Chen, L. Ye, X. Yan, L. Dong, S. Zhang, Z. Yang, C. Peng, X. Wu, und J. Chen. IEEE Trans. Circuits Syst., 67-I (12): 4918-4931 (2020)Human dynamics in mobile social networks: A study of inter-node relationships.Z. Lin, C. Peng, X. Wu, und X. Jiang. FSKD, Seite 806-810. IEEE, (2015)

BibSonomy

Disambiguierung von "Lin, Zhiting"

Kopieren Löschen Diese Publikation zur Ablage hinzufügen
Community-Eintrag
Versionsverlauf dieses Eintrags
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

A dual-output hardening design of inverter chain for P-hit single-event transient pulse elimination.

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Lin Lin

Lin Lin

Lin Lin

Lin Lin

Lin Lin

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Disambiguierung

BibSonomy

Disambiguierung von "Lin, Zhiting"

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügenCommunity-EintragVersionsverlauf dieses EintragsURLDOIBibTeXEndNoteAPAChicagoDIN 1505HarvardMSOffice XML A dual-output hardening design of inverter chain for P-hit single-event transient pulse elimination.

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Lin Lin

Lin Lin

Lin Lin

Lin Lin

Lin Lin

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Disambiguierung

Kopieren Löschen Diese Publikation zur Ablage hinzufügen
Community-Eintrag
Versionsverlauf dieses Eintrags
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

A dual-output hardening design of inverter chain for P-hit single-event transient pulse elimination.