Autor der Publikation

Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: Experiments and numerical simulations.

, , , , , , , und . Microelectron. Reliab., 50 (9-11): 1520-1522 (2010)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Low frequency noise as a reliability diagnostic tool in compound semiconductor transistors., , , und . Microelectron. Reliab., 44 (9-11): 1361-1368 (2004)Evolution of LF noise in Power PHEMT's submitted to RF and DC Step Stresses., , , , , , , und . Microelectron. Reliab., 41 (9-10): 1573-1578 (2001)Correlation between forward-reverse low-frequency noise and atypical I-V signatures in 980 nm high-power laser diodes., , , , , , und . Microelectron. Reliab., 55 (9-10): 1741-1745 (2015)Proceedings of the 28th European Symposium on the reliability of electron devices, failure physics and analysis., , , und . Microelectron. Reliab., (2017)On-wafer low frequency noise measurements of SiGe HBTs: Impact of technological improvements on 1/f noise., , , , und . Microelectron. Reliab., 44 (9-11): 1387-1392 (2004)Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: Experiments and numerical simulations., , , , , , , und . Microelectron. Reliab., 50 (9-11): 1520-1522 (2010)Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress., , , , , , und . Microelectron. Reliab., (2016)Comprehensive study into underlying mechanisms of anomalous gate leakage degradation in GaN high electron mobility transistors., , , , und . IRPS, Seite 4. IEEE, (2018)Thermal and statistical analysis of various AlN/GaN HEMT geometries for millimeter Wave applications., , , , , und . IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2023)Kink effect characterization in AlGaN/GaN HEMTs by DC and drain current transient measurements., , , , und . ESSDERC, Seite 270-273. IEEE, (2012)