From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

BTI Arbitrary Stress Patterns Characterization & Machine-Learning optimized CET Maps Simulations.

L. Gerrer, J. Cluzel, F. Gaillard, X. Garros, X. Federspiel, F. Cacho, D. Roy, и E. Vincent. IRPS, стр. 1-5. IEEE, (2021)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Guillaume Gaillard

Yves Gaillard

René Gaillard

Teresa Gaillard

François Gaillard

Другие публикации лиц с тем же именем

Study of forward AC stress degradation of GaN-on-Si Schottky diodes.T. Lorin, W. Vandendaele, R. Gwoziecki, C. Gillot, J. Biscarrat, G. Ghibaudo, и F. Gaillard. Microelectron. Reliab., (2018)Methodology for Active Junction Profile Extraction in thin film FD-SOI Enabling performance driver identification in 500°C devices for 3D sequential integration.T. Frutuoso, X. Garros, P. Batude, L. Brunet, J. Lacord, B. Sklénard, V. Lapras, C. Fenouillet-Béranger, M. Ribotta, A. Magalhaes-Lucas и 8 other автор(ы). VLSI Technology and Circuits, стр. 332-333. IEEE, (2022)A novel insight of pBTI degradation in GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT.W. Vandendaele, X. Garros, T. Lorin, E. Morvan, A. Torres, R. Escoffier, M. Jaud, M. Plissonnier, и F. Gaillard. IRPS, стр. 4. IEEE, (2018)BTI Arbitrary Stress Patterns Characterization & Machine-Learning optimized CET Maps Simulations.L. Gerrer, J. Cluzel, F. Gaillard, X. Garros, X. Federspiel, F. Cacho, D. Roy, и E. Vincent. IRPS, стр. 1-5. IEEE, (2021)A Methodology to Address RF Aging of 40nm CMOS PA Cells Under 5G mmW Modulation Profiles.A. Divay, C. Dehos, I. Charlet, F. Gaillard, B. Duriez, X. Garros, J. Antonijevic, J. Hai, N. Revil, J. Forest и 6 other автор(ы). IRPS, стр. 4. IEEE, (2024)16kbit 1T1R OxRAM arrays embedded in 28nm FDSOI technology demonstrating low BER, high endurance, and compatibility with core logic transistors.L. Grenouillet, N. Castellani, A. Persico, V. Meli, S. Martin, O. Billoint, R. Segaud, S. Bernasconi, C. Pellissier, C. Jahan и 20 other автор(ы). IMW, стр. 1-4. IEEE, (2021)Ultra-fast CV methods (< 10µs) for interface trap spectroscopy and BTI reliability characterization using MOS capacitors.T. Frutuoso, X. Garros, J. Lugo-Alvarez, R. Kammeugne, L. Zouknak, A. Viey, W. van den Daele, P. Ferrari, и F. Gaillard. IRPS, стр. 3. IEEE, (2022)Fast Measurement of BTI on 28nm Fully Depleted Silicon-On-Insulator MOSFETs at Cryogenic Temperature down to 4K.L. Contamin, M. Cassé, X. Garros, F. Gaillard, M. Vinet, P. Galy, A. Juge, E. Vincent, S. Franceschi, и T. Meunier. IRPS, стр. 7. IEEE, (2022)A new method for quickly evaluating reversible and permanent components of the BTI degradation.X. Garros, A. Subirats, G. Reimbold, F. Gaillard, C. Diouf, X. Federspiel, V. Huard, и M. Rafik. IRPS, стр. 6-1. IEEE, (2018)Performance & reliability of 3D architectures (πfet, Finfet, Ωfet).A. Laurent, X. Garros, S. Barraud, J. Pelloux-Prayer, M. Cassé, F. Gaillard, X. Federspiel, D. Roy, E. Vincent, и G. Ghibaudo. IRPS, стр. 6. IEEE, (2018)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter