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Role of Gate Hole Injection in Minimizing Substrate Coupling and Electron Trapping in AlGaN/GaN Power HEMTs., , , , und . IRPS, Seite 17. IEEE, (2024)Charge Trapping in GaN Power Transistors: Challenges and Perspectives., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). BCICTS, Seite 1-4. IEEE, (2021)GaN RF HEMT Reliability: Impact of Device Processing on I-V Curve Stability and Current Collapse., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). IRPS, Seite 11. IEEE, (2022)Threshold Voltage Drift and Recovery of SiC Trench MOSFETs During TDDB Stress., , , , , , , und . IRPS, Seite 54. IEEE, (2024)On-Wafer Dynamic Operation of Power GaN-HEMTs: Degradation Processes Investigated by a Novel Experimental Approach., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2024)Demonstration of Bilayer Gate Insulator for Improved Reliability in GaN-on-Si Vertical Transistors., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2020)Experimental observation of TDDB-like behavior in reverse-biased green InGaN LEDs., , , , , , und . Microelectron. Reliab., (2016)On-wafer RF stress and trapping kinetics of Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs., , , , , , , , , und 7 andere Autor(en). Microelectron. Reliab., (2018)Analysis of the mechanisms limiting the reliability of retrofit LED lamps., , , , , und . RTSI, Seite 1-4. IEEE, (2015)$R_ON$ and $V_TH$ Extraction in Hard-Switched E-mode GaN HEMTs: Impact of Passivation and Layout., , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-4. IEEE, (2024)