Autor der Publikation

An 8-Mb DC-Current-Free Binary-to-8b Precision ReRAM Nonvolatile Computing-in-Memory Macro using Time-Space-Readout with 1286.4-21.6TOPS/W for Edge-AI Devices.

, , , , , , , , , , , , , und . ISSCC, Seite 1-3. IEEE, (2022)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

15.9 A 16nm 16Mb Embedded STT-MRAM with a 20ns Write Time, a 1012 Write Endurance and Integrated Margin-Expansion Schemes., , , , , , , , , und 16 andere Autor(en). ISSCC, Seite 292-294. IEEE, (2024)Stereo Imaging Using Hardwired Self-Organizing Object Segmentation., , , und . Sensors, 20 (20): 5833 (2020)An 8-Mb DC-Current-Free Binary-to-8b Precision ReRAM Nonvolatile Computing-in-Memory Macro using Time-Space-Readout with 1286.4-21.6TOPS/W for Edge-AI Devices., , , , , , , , , und 4 andere Autor(en). ISSCC, Seite 1-3. IEEE, (2022)On Legalization of Die Bonding Bumps and Pads for 3-D ICs., , , , und . IEEE Trans. Comput. Aided Des. Integr. Circuits Syst., 43 (9): 2741-2754 (September 2024)Design and Development of a Low-Power Wireless MEMS Lead-Free Piezoelectric Accelerometer System., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). IEEE Trans. Instrum. Meas., (2023)On Legalization of Die Bonding Bumps and Pads for 3D ICs., , , , und . ISPD, Seite 62-70. ACM, (2023)8-b Precision 8-Mb ReRAM Compute-in-Memory Macro Using Direct-Current-Free Time-Domain Readout Scheme for AI Edge Devices., , , , , , , , , und 4 andere Autor(en). IEEE J. Solid State Circuits, 58 (1): 303-315 (2023)A 22nm 4Mb 8b-Precision ReRAM Computing-in-Memory Macro with 11.91 to 195.7TOPS/W for Tiny AI Edge Devices., , , , , , , , , und 8 andere Autor(en). ISSCC, Seite 245-247. IEEE, (2021)