Autor der Publikation

A Simulation Study of Scaling Capability toward 10nm for the 3D Stackable Gate-Controlled Thyristor (GCT) DRAM Device.

, , , , und . IMW, Seite 1-4. IEEE, (2023)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Write-In-Place Operation and It's Advantages to Upgrade the 3D AND-type Flash Memory Performances., , , , , und . IMW, Seite 1-4. IEEE, (2021)3D-NAND based Filtering Cube with High Resolution 2D Query and Tunable Feature Length for Computational SSD., , , , , , , , , und . IMW, Seite 1-4. IEEE, (2024)First Experimental Study of Floating-Body Cell Transient Reliability Characteristics of Both N- and P-Channel Vertical Gate-All-Around Devices with Split-Gate Structures., , , , , , , und . IRPS, Seite 7. IEEE, (2022)In-Memory Approximate Computing Architecture Based on 3D-NAND Flash Memories., , , , , , , , und . VLSI Technology and Circuits, Seite 270-271. IEEE, (2022)Introduction of Non-Volatile Computing In Memory (nvCIM) by 3D NAND Flash for Inference Accelerator of Deep Neural Network (DNN) and the Read Disturb Reliability Evaluation : (Invited Paper)., , , und . IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2020)Reliability Assessment for an In-3D-NAND Approximate Searching Solution., , , , , , , und . IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2024)ICE: An Intelligent Cognition Engine with 3D NAND-based In-Memory Computing for Vector Similarity Search Acceleration., , , , , , , , , und 11 andere Autor(en). MICRO, Seite 763-783. IEEE, (2022)A 512Gb In-Memory-Computing 3D-NAND Flash Supporting Similar-Vector-Matching Operations on Edge-AI Devices., , , , , , , , , und 9 andere Autor(en). ISSCC, Seite 138-140. IEEE, (2022)A Simulation Study of Scaling Capability toward 10nm for the 3D Stackable Gate-Controlled Thyristor (GCT) DRAM Device., , , , und . IMW, Seite 1-4. IEEE, (2023)SLC and MLC In-Memory-Approximate-Search Solutions in Commercial 48-layer and 96-layer 3D-NAND Flash Memories., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). IMW, Seite 1-4. IEEE, (2023)