Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Physics-based device aging modelling framework for accurate circuit reliability assessment., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2021)Trap-polarization interaction during low-field trap characterization on hafnia-based ferroelectric gatestacks., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 12-1. IEEE, (2022)Bias Temperature Instability (BTI) of High-Voltage Devices for Memory Periphery., , , , , , , , , und 7 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2022)Transition-state-theory-based interpretation of Landau double well potential for ferroelectrics., , , , , , , , und . CoRR, (2024)Insight to Data Retention loss in ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 pFET and nFET from simultaneous PV and IV measurements., , , , , , , , , und . VLSI Technology and Circuits, Seite 340-342. IEEE, (2022)Degradation mechanisms and lifetime assessment of Ge Vertical PIN photodetectors., , , , , , , und . OFC, Seite 1-3. IEEE, (2022)A BSIM-Based Predictive Hot-Carrier Aging Compact Model., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-9. IEEE, (2021)Modelling ultra-fast threshold voltage instabilities in Hf-based ferroelectrics., , , , , , , , und . IRPS, Seite 4. IEEE, (2022)Fundamental understanding of NBTI degradation mechanism in IGZO channel devices., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-7. IEEE, (2024)