Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Investigating Nanowire, Nanosheet and Forksheet FET Hot-Carrier Reliability via TCAD Simulations: Invited Paper., , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-10. IEEE, (2023)Simulation Comparison of Hot-Carrier Degradation in Nanowire, Nanosheet and Forksheet FETs., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 6. IEEE, (2022)Significant Enhancement of HCD and TDDB in CMOS FETs by Mechanical Stress., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). IRPS, Seite 10. IEEE, (2022)The defect-centric perspective of device and circuit reliability - From individual defects to circuits., , , , , , , , , und 5 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 218-225. IEEE, (2015)Side and Corner Region Non-Uniformities in Grown SiO2 and Their Implications on Current, Capacitance and Breakdown Characteristics., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 36. IEEE, (2024)SILC and TDDB reliability of novel low thermal budget RMG gate stacks., , , , und . IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2024)Fundamental understanding of NBTI degradation mechanism in IGZO channel devices., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-7. IEEE, (2024)Demonstration of 3D sequential FD-SOI on CMOS FinFET stacking featuring low temperature Si layer transfer and top tier device fabrication with tier interconnections., , , , , , , , , und 15 andere Autor(en). VLSI Technology and Circuits, Seite 330-331. IEEE, (2022)Sequential 3D: Key integration challenges and opportunities for advanced semiconductor scaling., , , , , , , , , und 15 andere Autor(en). ICICDT, Seite 145-148. IEEE, (2018)Reliability and Variability-Aware DTCO Flow: Demonstration of Projections to N3 FinFET and Nanosheet Technologies., , , , , , , , , und 10 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2021)