From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

15.9 A 16nm 16Mb Embedded STT-MRAM with a 20ns Write Time, a 1012 Write Endurance and Integrated Margin-Expansion Schemes.

K. Lin, H. Noguchi, Y. Shih, P. Yuh, Y. Lee, T. Chang, S. Huang, Y. Lin, C. Lee, Y. Huang, J. Tsai, S. Adham, P. Noel, R. Yazdi, M. Gershoig, Y. Shin, V. Joshi, T. Wong, M. Jiang, J. Wu, C. Cheng, Y. Wang, H. Chuang, Y. Chih, Y. Wang, и T. Chang. ISSCC, стр. 292-294. IEEE, (2024)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Yih-Fen Wang-Hua

Yiheyis Tasissa

Gabriel Yihune

Ming-Yih Lin

Dong-Yih Lin

Другие публикации лиц с тем же именем

15.3 A 351TOPS/W and 372.4GOPS Compute-in-Memory SRAM Macro in 7nm FinFET CMOS for Machine-Learning Applications.Q. Dong, M. Sinangil, B. Erbagci, D. Sun, W. Khwa, H. Liao, Y. Wang, и J. Chang. ISSCC, стр. 242-244. IEEE, (2020)A 32nm High-k metal gate SRAM with adaptive dynamic stability enhancement for low-voltage operation.H. Nho, P. Kolar, F. Hamzaoglu, Y. Wang, E. Karl, Y. Ng, U. Bhattacharya, и K. Zhang. ISSCC, стр. 346-347. IEEE, (2010)A 153Mb-SRAM Design with Dynamic Stability Enhancement and Leakage Reduction in 45nm High-Κ Metal-Gate CMOS Technology.F. Hamzaoglu, K. Zhang, Y. Wang, H. Ahn, U. Bhattacharya, Z. Chen, Y. Ng, A. Pavlov, K. Smits, и M. Bohr. ISSCC, стр. 376-377. IEEE, (2008)A 5-nm 254-TOPS/W 221-TOPS/mm2 Fully-Digital Computing-in-Memory Macro Supporting Wide-Range Dynamic-Voltage-Frequency Scaling and Simultaneous MAC and Write Operations.H. Fujiwara, H. Mori, W. Zhao, M. Chuang, R. Naous, C. Chuang, T. Hashizume, D. Sun, C. Lee, K. Akarvardar и 8 other автор(ы). ISSCC, стр. 1-3. IEEE, (2022)15.7 A 32Mb RRAM in a 12nm FinFet Technology with a 0.0249μm2 Bit-Cell, a 3.2GB/S Read Throughput, a 10KCycle Write Endurance and a 10-Year Retention at 105°C.Y. Huang, S. Liu, H. Chen, H. Feng, C. Li, C. Yang, W. Chang, C. Yang, C. Wu, Y. Lin и 7 other автор(ы). ISSCC, стр. 288-290. IEEE, (2024)Efficient Processing of MLPerf Mobile Workloads Using Digital Compute-In-Memory Macros.X. Sun, W. Cao, B. Crafton, K. Akarvardar, H. Mori, H. Fujiwara, H. Noguchi, Y. Chih, M. Chang, Y. Wang и 1 other автор(ы). IEEE Trans. Comput. Aided Des. Integr. Circuits Syst., 43 (4): 1191-1205 (апреля 2024)A 3.8 GHz 153 Mb SRAM Design With Dynamic Stability Enhancement and Leakage Reduction in 45 nm High-k Metal Gate CMOS Technology.F. Hamzaoglu, K. Zhang, Y. Wang, H. Ahn, U. Bhattacharya, Z. Chen, Y. Ng, A. Pavlov, K. Smits, и M. Bohr. IEEE J. Solid State Circuits, 44 (1): 148-154 (2009)2nd generation embedded DRAM with 4X lower self refresh power in 22nm Tri-Gate CMOS technology.M. Meterelliyoz, F. Al amoody, U. Arslan, F. Hamzaoglu, L. Hood, M. Lal, J. Miller, A. Ramasundar, D. Soltman, I. Wan и 2 other автор(ы). VLSIC, стр. 1-2. IEEE, (2014)13.1 A 1Gb 2GHz embedded DRAM in 22nm tri-gate CMOS technology.F. Hamzaoglu, U. Arslan, N. Bisnik, S. Ghosh, M. Lal, N. Lindert, M. Meterelliyoz, R. Osborne, J. Park, S. Tomishima и 2 other автор(ы). ISSCC, стр. 230-231. IEEE, (2014)An 89TOPS/W and 16.3TOPS/mm2 All-Digital SRAM-Based Full-Precision Compute-In Memory Macro in 22nm for Machine-Learning Edge Applications.Y. Chih, P. Lee, H. Fujiwara, Y. Shih, C. Lee, R. Naous, Y. Chen, C. Lo, C. Lu, H. Mori и 10 other автор(ы). ISSCC, стр. 252-254. IEEE, (2021)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter