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Active power-gating-induced power/ground noise alleviation using parasitic capacitance of on-chip memories.

X. Wang, J. Xu, W. Zhang, X. Wu, Y. Ye, Z. Wang, M. Nikdast, und Z. Wang. DATE, Seite 1221-1224. EDA Consortium San Jose, CA, USA / ACM DL, (2013)

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