From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

A 64-Kb 0.37V 28nm 10T-SRAM with mixed-Vth read-port and boosted WL scheme for IoT applications.

H. Fujiwara, Y. Chen, C. Lin, W. Wu, D. Sun, S. Wu, H. Liao, и J. Chang. A-SSCC, стр. 185-188. IEEE, (2016)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Yen-Huei Chen

Huei-Ling Yen

Guo-Huei Chen

Jyh-Huei Chen

Huei-Mei Chen

Другие публикации лиц с тем же именем

A 16 nm 128 Mb SRAM in High-κ Metal-Gate FinFET Technology With Write-Assist Circuitry for Low-VMIN Applications.Y. Chen, W. Chan, W. Wu, H. Liao, K. Pan, J. Liaw, T. Chung, Q. Li, C. Lin, M. Chiang и 2 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 50 (1): 170-177 (2015)A 20nm 112Mb SRAM in High-к metal-gate with assist circuitry for low-leakage and low-VMIN applications.J. Chang, Y. Chen, H. Cheng, W. Chan, H. Liao, Q. Li, S. Chang, S. Natarajan, R. Lee, P. Wang и 5 other автор(ы). ISSCC, стр. 316-317. IEEE, (2013)17.2 A 64kb 16nm asynchronous disturb current free 2-port SRAM with PMOS pass-gates for FinFET technologies.H. Fujiwara, L. Wang, Y. Chen, K. Lin, D. Sun, S. Wu, J. Liaw, C. Lin, M. Chiang, H. Liao и 2 other автор(ы). ISSCC, стр. 1-3. IEEE, (2015)A 4nm 6163-TOPS/W/b $4790-TOPS/mm^2/b$ SRAM Based Digital-Computing-in-Memory Macro Supporting Bit-Width Flexibility and Simultaneous MAC and Weight Update.H. Mori, W. Zhao, C. Lee, C. Lee, Y. Hsu, C. Chuang, T. Hashizume, H. Tung, Y. Liu, S. Wu и 8 other автор(ы). ISSCC, стр. 132-133. IEEE, (2023)A 3nm 256Mb SRAM in FinFET Technology with New Array Banking Architecture and Write-Assist Circuitry Scheme for High-Density and Low-VMIN Applications.J. Chang, Y. Chen, G. Chan, K. Lin, P. Wang, Y. Lin, S. Chen, P. Lin, C. Wu, C. Lin и 8 other автор(ы). VLSI Technology and Circuits, стр. 1-2. IEEE, (2023)34.4 A 3nm, 32.5TOPS/W, 55.0TOPS/mm2 and 3.78Mb/mm2 Fully-Digital Compute-in-Memory Macro Supporting INT12 × INT12 with a Parallel-MAC Architecture and Foundry 6T-SRAM Bit Cell.H. Fujiwara, H. Mori, W. Zhao, K. Khare, C. Lee, X. Peng, V. Joshi, C. Chuang, S. Hsu, T. Hashizume и 13 other автор(ы). ISSCC, стр. 572-574. IEEE, (2024)A 64-Kb 0.37V 28nm 10T-SRAM with mixed-Vth read-port and boosted WL scheme for IoT applications.H. Fujiwara, Y. Chen, C. Lin, W. Wu, D. Sun, S. Wu, H. Liao, и J. Chang. A-SSCC, стр. 185-188. IEEE, (2016)13.5 A 16nm 128Mb SRAM in high-κ metal-gate FinFET technology with write-assist circuitry for low-VMIN applications.Y. Chen, W. Chan, W. Wu, H. Liao, K. Pan, J. Liaw, T. Chung, Q. Li, G. Chang, C. Lin и 4 other автор(ы). ISSCC, стр. 238-239. IEEE, (2014)A 5-nm 254-TOPS/W 221-TOPS/mm2 Fully-Digital Computing-in-Memory Macro Supporting Wide-Range Dynamic-Voltage-Frequency Scaling and Simultaneous MAC and Write Operations.H. Fujiwara, H. Mori, W. Zhao, M. Chuang, R. Naous, C. Chuang, T. Hashizume, D. Sun, C. Lee, K. Akarvardar и 8 other автор(ы). ISSCC, стр. 1-3. IEEE, (2022)12.1 A 7nm 256Mb SRAM in high-k metal-gate FinFET technology with write-assist circuitry for low-VMIN applications.J. Chang, Y. Chen, W. Chan, S. Singh, H. Cheng, H. Fujiwara, J. Lin, K. Lin, J. Hung, R. Lee и 6 other автор(ы). ISSCC, стр. 206-207. IEEE, (2017)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter