( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Kaczer, Ben"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Relevance of fin dimensions and high-pressure anneals on hot-carrier degradation.

, , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2020)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Ben Koch

Ben Elsner

Ben Schöttker

Ben Novak

Ben Schacher

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Time dependent variability in RMG-HKMG FinFETs: Impact of extraction scheme on stochastic NBTI., , , , , und . IRPS, Seite 3. IEEE, (2015)Stochastic Modeling of Hot-Carrier Degradation in nFinFETs Considering the Impact of Random Traps and Random Dopants., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 262-265. IEEE, (2019)Investigating Nanowire, Nanosheet and Forksheet FET Hot-Carrier Reliability via TCAD Simulations: Invited Paper., , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-10. IEEE, (2023)Improving the Tamper-Aware Odometer Concept by Enhancing Dynamic Stress Operation., , , , , und . IRPS, Seite 1-9. IEEE, (2023)Reliability and Variability-Aware DTCO Flow: Demonstration of Projections to N3 FinFET and Nanosheet Technologies., , , , , , , , , und 10 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2021)Temperature Dependent Mismatch and Variability in a Cryo-CMOS Array with 30k Transistors., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). IRPS, Seite 10. IEEE, (2022)Simulation Comparison of Hot-Carrier Degradation in Nanowire, Nanosheet and Forksheet FETs., , , , , , , , , und . IRPS, Seite 6. IEEE, (2022)Significant Enhancement of HCD and TDDB in CMOS FETs by Mechanical Stress., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). IRPS, Seite 10. IEEE, (2022)The defect-centric perspective of device and circuit reliability - From individual defects to circuits., , , , , , , , , und 5 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 218-225. IEEE, (2015)Understanding the Potential and the Limits of Germanium pMOSFETs for VLSI Circuits From Experimental Measurements., , , , und . IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 19 (9): 1569-1582 (2011)